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Memória RAM Kingston ValueRAM 8GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM / KVR32S22S6

Descrição

Kingston ValueRAM 8 GB 3200 MHz DDR4

Este documento descreve o ValueRAM KVR32S22S6/8 como um módulo de memória SDRAM (DRAM síncrona) 1G x 64 bits (8 GB), 1Rx16 DDR4-3200 CL22 , baseado em quatro componentes FBGA 1G x 16 bits.

O SPD está programado para a latência padrão JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1,2V. Este SODIMM de 260 pinos usa contatos dourados.

Características

  • VDDQ = 1,2 V típico
  • VPP = 2,5 V típico
  • VDDSPD = 2,2V a 3,6V
  • Terminação nominal e dinâmica (ODT) no chip para dados, sinais estroboscópicos e de máscara
  • Autoatualização de baixo consumo de energia (LPASR)
  • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
  • Geração e calibração de VREFDQ no chip
  • Classificação única
  • EEPROM de detecção de presença serial I2 integrada (SPD)
  • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
  • Corte de Burst (BC) fixo de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 via Mode Register Set (MRS)
  • BC4 ou BL8 selecionáveis ​​instantaneamente (OTF)
  • Topologia de Passagem
  • Barramento de endereços e comando de controle concluídos
  • PCB: Altura de 1,18” (30,00 mm)
  • Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações

  • Capacidade: 8GB
  • Tipo: SDRAM-DDR4
  • Projeto: SO-DIMM
  • Conexão: 260 pinos
  • Tensão: 1,2 volts
  • Padrão: DDR4-3200
  • Relógio físico: 3200 MHz
  • Latência CAS (CL): 22

Memória RAM Kingston ValueRAM 8GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM / KVR32S22S6

Formato do produto
P/N: KVR32S22S6/8

SKU: KIN-8GB KVR32S22S6 8

21,76 € 18,50 € IVA incluído

    • Compra segura e protegida

    Especificações

    Descrição

    Kingston ValueRAM 8 GB 3200 MHz DDR4

    Este documento descreve o ValueRAM KVR32S22S6/8 como um módulo de memória SDRAM (DRAM síncrona) 1G x 64 bits (8 GB), 1Rx16 DDR4-3200 CL22 , baseado em quatro componentes FBGA 1G x 16 bits.

    O SPD está programado para a latência padrão JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1,2V. Este SODIMM de 260 pinos usa contatos dourados.

    Características

    • VDDQ = 1,2 V típico
    • VPP = 2,5 V típico
    • VDDSPD = 2,2V a 3,6V
    • Terminação nominal e dinâmica (ODT) no chip para dados, sinais estroboscópicos e de máscara
    • Autoatualização de baixo consumo de energia (LPASR)
    • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
    • Geração e calibração de VREFDQ no chip
    • Classificação única
    • EEPROM de detecção de presença serial I2 integrada (SPD)
    • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
    • Corte de Burst (BC) fixo de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 via Mode Register Set (MRS)
    • BC4 ou BL8 selecionáveis ​​instantaneamente (OTF)
    • Topologia de Passagem
    • Barramento de endereços e comando de controle concluídos
    • PCB: Altura de 1,18” (30,00 mm)
    • Compatível com RoHS e livre de halogênio

    Especificações

    • Capacidade: 8GB
    • Tipo: SDRAM-DDR4
    • Projeto: SO-DIMM
    • Conexão: 260 pinos
    • Tensão: 1,2 volts
    • Padrão: DDR4-3200
    • Relógio físico: 3200 MHz
    • Latência CAS (CL): 22

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