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Memória RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR3/ 1600 MHz/ 1,5 V/ CL11/ SODIMM

Descrição

  • Fonte de alimentação: padrão JEDEC 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
  • VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
  • 800 MHz fCK para 1600 Mb/seg/pino
  • 8 bancos internos independentes
  • Latência CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
  • Latência aditiva programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
  • Pré-busca de 8 bits
  • Comprimento do burst: 8 (intervalo ilimitado, sequencial apenas com endereço inicial '000'), 4 com tCCD = 4 que não permite leituras ou gravações transparentes [ou em tempo real usando A12 ou MRS]
  • Diferencial de dados estroboscópicos bidirecional
  • Calibração interna (Auto): Autocalibração interna via pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
  • Terminação 'On Die' usando pino ODT
  • Período médio de atualização 7,8us a uma temperatura inferior a TCASE 85ºC, 3,9us a 85ºC
  • Redefinição assíncrona
  • PCB: Alto 1.180? (30,00mm), componentes de dupla face

    • Especificações técnicas

    • CL(IDD): 11 ciclos
    • Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 48,125ns (min.)
    • Tempo de comando de atualização para ativo/atualização (tRFCmin): 260ns (min.)
    • Tempo de ciclo de linha (tRASmin) 35ns (min.)
    • Potência operacional máxima 2.100 W (a potência variará dependendo da SDRAM usada)
    • Classificação UL 94V - 0
    • Temperatura de operação 0º C a 85º C
    • Temperatura de armazenamento -55º C a +100º C

    Memória RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR3/ 1600 MHz/ 1,5 V/ CL11/ SODIMM

    Formato do produto
    P/N: KVR16S11S8/4

    SKU: KIN-4GB 1600DDR3 SODIMM V2

    27,35 € 23,25 € IVA incluído

      • Compra segura e protegida
      Especificações

      Descrição

    • Fonte de alimentação: padrão JEDEC 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
    • VDDQ = 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
    • 800 MHz fCK para 1600 Mb/seg/pino
    • 8 bancos internos independentes
    • Latência CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
    • Latência aditiva programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
    • Pré-busca de 8 bits
    • Comprimento do burst: 8 (intervalo ilimitado, sequencial apenas com endereço inicial '000'), 4 com tCCD = 4 que não permite leituras ou gravações transparentes [ou em tempo real usando A12 ou MRS]
    • Diferencial de dados estroboscópicos bidirecional
    • Calibração interna (Auto): Autocalibração interna via pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
    • Terminação 'On Die' usando pino ODT
    • Período médio de atualização 7,8us a uma temperatura inferior a TCASE 85ºC, 3,9us a 85ºC
    • Redefinição assíncrona
    • PCB: Alto 1.180? (30,00mm), componentes de dupla face

      • Especificações técnicas

      • CL(IDD): 11 ciclos
      • Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 48,125ns (min.)
      • Tempo de comando de atualização para ativo/atualização (tRFCmin): 260ns (min.)
      • Tempo de ciclo de linha (tRASmin) 35ns (min.)
      • Potência operacional máxima 2.100 W (a potência variará dependendo da SDRAM usada)
      • Classificação UL 94V - 0
      • Temperatura de operação 0º C a 85º C
      • Temperatura de armazenamento -55º C a +100º C

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