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Kingston ValueRAM 32 GB/ DDR4/ 2666 MHz/ 1,2 V/ CL19/ Memória RAM SODIMM

Descrição

Kingston ValueRAM 32 GB 2666 MHz DDR4

Este documento descreve o módulo de memória ValueRAM KVR26S19D8/32, um módulo de memória SDRAM (DRAM síncrona) de 4 GB x 64 bits (32 GB), 2Rx8, não ECC DDR4-2666 baseado em dezesseis componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. .

O SPD está programado para a latência DDR4-2666 padrão JEDEC de 19-19-19 a 1,2V. Este DIMM de 260 pinos usa contatos dourados.


Especificações

  • VDDQ = 1,2V típico
  • VPP = 2,5 V típico
  • VDDSPD = 2,2V a 3,6V
  • Terminação nominal e dinâmica (ODT) no chip para dados, sinais estroboscópicos e de máscara
  • Autoatualização de baixo consumo de energia (LPASR)
  • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
  • Geração e calibração de VREFDQ no chip
  • Classificação dupla
  • EEPROM de detecção de presença serial I2 integrada (SPD)
  • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
  • Corte de Burst (BC) fixo de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 via Mode Register Set (MRS)
  • BC4 ou BL8 selecionáveis ​​instantaneamente (OTF)
  • Topologia de Passagem
  • Barramento de comando de endereço e controle concluído
  • PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
  • Compatível com RoHS e livre de halogênio

Kingston ValueRAM 32 GB/ DDR4/ 2666 MHz/ 1,2 V/ CL19/ Memória RAM SODIMM

Formato do produto
P/N: KVR26S19D8/32

SKU: KIN-32GB KVR26S19D8 32

81,76 € 69,50 € IVA incluído

    • Compra segura e protegida

    Especificações

    Descrição

    Kingston ValueRAM 32 GB 2666 MHz DDR4

    Este documento descreve o módulo de memória ValueRAM KVR26S19D8/32, um módulo de memória SDRAM (DRAM síncrona) de 4 GB x 64 bits (32 GB), 2Rx8, não ECC DDR4-2666 baseado em dezesseis componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. .

    O SPD está programado para a latência DDR4-2666 padrão JEDEC de 19-19-19 a 1,2V. Este DIMM de 260 pinos usa contatos dourados.


    Especificações

    • VDDQ = 1,2V típico
    • VPP = 2,5 V típico
    • VDDSPD = 2,2V a 3,6V
    • Terminação nominal e dinâmica (ODT) no chip para dados, sinais estroboscópicos e de máscara
    • Autoatualização de baixo consumo de energia (LPASR)
    • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
    • Geração e calibração de VREFDQ no chip
    • Classificação dupla
    • EEPROM de detecção de presença serial I2 integrada (SPD)
    • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
    • Corte de Burst (BC) fixo de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 via Mode Register Set (MRS)
    • BC4 ou BL8 selecionáveis ​​instantaneamente (OTF)
    • Topologia de Passagem
    • Barramento de comando de endereço e controle concluído
    • PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
    • Compatível com RoHS e livre de halogênio

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