Descrição
Um SSD em constante evolução
O que há de mais moderno em desempenho, melhorado. Mais rápido que o 970 EVO, o 970 EVO Plus funciona com a mais recente tecnologia V-NAND e otimização de firmware. Maximize o potencial da largura de banda NVMe™ para uma configuração imbatível. Em capacidades de até 2 TB, com confiabilidade de até 1.200 TBW.
Desempenho em um novo nível
O 970 EVO Plus atinge velocidades de leitura e gravação sequenciais de até 3.500/3.300 MB/s, até 53% mais rápido que o 970 EVO. O mais recente V-NAND oferece maior desempenho NAND e maior eficiência energética, juntamente com firmware otimizado, um controlador Phoenix comprovado e impulso TurboWrite inteligente.
Flexibilidade de projeto
Um novo avanço no SSD NVMe™. O 970 EVO Plus armazena até 2 TB no formato compacto M.2 (2280), expandindo enormemente a capacidade de armazenamento e economizando espaço para outros componentes. A tecnologia inovadora da Samsung dá-lhe a capacidade de fazer mais e ir mais longe.
Resistência excepcional
O novo padrão em desempenho sustentável. Obtenha até 1.200 TBW com garantia limitada de 5 anos para desempenho duradouro. O 970 EVO Plus oferece resistência excepcional graças à mais recente tecnologia V-NAND e à qualidade Samsung.
Confiabilidade incomparável
Alcance um novo nível de confiança. O avançado driver revestido de níquel da Samsung e o dissipador de calor integrado no 970 EVO Plus permitem uma dissipação de calor superior. O Dynamic Thermal Guard monitora e mantém automaticamente as temperaturas operacionais ideais para minimizar quedas de desempenho.
Samsung Mágico
Gerenciamento avançado de disco, simplificado. O software Samsung Magician irá ajudá-lo a manter tudo em ordem. Um conjunto de ferramentas fáceis de usar ajuda você a manter sua unidade atualizada, monitorar a integridade e a velocidade da unidade e até mesmo melhorar o desempenho.
- Aplicativo
- PCs clientes
- Interface
- PCIe geração 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Dimensões
- 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
- Peso
- Máx. 8,0g
- Leitura sequencial
- Até 3.500 MB/s *O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
- escrita sequencial
- Até 3.300 MB/s * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
- Habilidade
- 1.000 GB (1 GB = bilhão de bytes de acordo com IDEMA) * A capacidade real pode ser menor (devido à formatação, particionamento, sistema operacional, aplicativos ou outros)
- Formatar
- M.2 (2280)
- Interface
- PCIe geração 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Dimensões
- 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
- Peso
- Máx. 8,0g
- Memória de armazenamento
- MLC Samsung V-NAND de 3 bits
- Controlador
- Controlador Samsung Phoenix
- Memória cache
- SDRAM DDR4 de baixo consumo de 1 GB Samsung
- Recursos especiais
- Suporte TRIM
- Compatível
- Suporte SMART
- Compatível
- GC (Coleta de Lixo)
- Algoritmo de coleta automática de lixo
- Criptografia
- Criptografia AES de 256 bits (Classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (unidade criptografada)
- Suporta modo de suspensão no dispositivo
- Sim
- Desempenho
- Leitura sequencial
- Até 3.500 MB/s *O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
- escrita sequencial
- Até 3.300 MB/s * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema
- Leitura aleatória (4 KB, QD32)
- Até 600.000 IOPS * O desempenho pode variar com base no hardware e na configuração do sistema
- Gravação aleatória (4 KB, QD32)
- Até 550.000 IOPS * O desempenho pode variar com base no hardware e na configuração do sistema
- Leitura aleatória (4 KB, QD1)
- Até 19.000 IOPS *O desempenho pode variar com base no hardware e na configuração do sistema
- Gravação aleatória (4 KB, QD1)
- Até 60.000 IOPS * O desempenho pode variar com base no hardware e na configuração do sistema
- Em volta
- Consumo médio de energia
- *Média: 6 W * Máximo: 9 W (modo Burst) * O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e da configuração do sistema
- Consumo de energia (inativo)
- Máx. 30 mW * O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e da configuração do sistema
- Tensão suportada
- 3,3 V ± 5% Tensão permitida
- Durabilidade (MTBF)
- Confiabilidade de 1,5 milhão de horas (MTBF)
- Temperatura
- 0 - Temperatura de operação 70℃
- golpes
- 1.500 G e 0,5 ms (meio senoidal)
