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Memoria RAM Kingston ValueRAM 8GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM / KVR32S22S6

Descripción

Kingston ValueRAM 8GB 3200MHz DDR4

Este documento describe el KVR32S22S6/8 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM) de 1G x 64 bits (8 GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 1G x 16 bits. 

El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1,2 V. Este SODIMM de 260 pines utiliza contactos de oro

Características

  • VDDQ = 1,2 V típico
  • VPP = 2,5 V típico
  • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
  • Terminación nominal y dinámica en el chip (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
  • Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
  • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
  • Generación y calibración de VREFDQ en el chip
  • Rango único
  • EEPROM de detección de presencia serial (SPD) I2 integrada
  • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
  • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
  • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
  • Topología de paso
  • Bus de direcciones y comando de control terminado
  • PCB: Altura de 1,18” (30,00 mm)
  • Compatible con RoHS y libre de halógenos

Especificaciones

  • Capacidad: 8 GB
  • Tipo: SDRAM-DDR4
  • Diseño: SO-DIMM
  • Conexión: pin 260
  • Voltaje: 1,2 voltios
  • Estándar: DDR4-3200
  • Reloj físico: 3200 MHz
  • Latencia CAS (CL): 22

Memoria RAM Kingston ValueRAM 8GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM / KVR32S22S6

Forma del producto
P/N: KVR32S22S6/8

SKU: KIN-8GB KVR32S22S6 8

21,76 € 18,50 € IVA incluido

    Especificaciones

    Descripción

    Kingston ValueRAM 8GB 3200MHz DDR4

    Este documento describe el KVR32S22S6/8 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM) de 1G x 64 bits (8 GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 1G x 16 bits. 

    El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1,2 V. Este SODIMM de 260 pines utiliza contactos de oro

    Características

    • VDDQ = 1,2 V típico
    • VPP = 2,5 V típico
    • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
    • Terminación nominal y dinámica en el chip (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
    • Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
    • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
    • Generación y calibración de VREFDQ en el chip
    • Rango único
    • EEPROM de detección de presencia serial (SPD) I2 integrada
    • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
    • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
    • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
    • Topología de paso
    • Bus de direcciones y comando de control terminado
    • PCB: Altura de 1,18” (30,00 mm)
    • Compatible con RoHS y libre de halógenos

    Especificaciones

    • Capacidad: 8 GB
    • Tipo: SDRAM-DDR4
    • Diseño: SO-DIMM
    • Conexión: pin 260
    • Voltaje: 1,2 voltios
    • Estándar: DDR4-3200
    • Reloj físico: 3200 MHz
    • Latencia CAS (CL): 22

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