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Memoria RAM Kingston ValueRAM 32GB/ DDR4/ 2666MHz/ 1.2V/ CL19/ SODIMM

Descripción

Kingston ValueRAM 32GB 2666MHz DDR4

Este documento describe el módulo de memoria KVR26S19D8/32 de ValueRAM, un módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (Synchronous DRAM) de 4 GB x 64 bits (32 GB), 2Rx8, sin ECC, basado en dieciséis componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. 

El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC de DDR4-2666 de 19-19-19 a 1,2 V. Este módulo DIMM de 260 pines utiliza contactos de oro


Especificaciones

  • VDDQ = 1,2 V típico
  • VPP = 2,5 V típico
  • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
  • Terminación nominal y dinámica en el chip (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
  • Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
  • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
  • Generación y calibración de VREFDQ en el chip
  • Doble rango
  • EEPROM de detección de presencia serial (SPD) I2 integrada
  • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
  • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
  • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
  • Topología de paso
  • Bus de dirección y comando de control terminado
  • PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
  • Compatible con RoHS y libre de halógenos

Memoria RAM Kingston ValueRAM 32GB/ DDR4/ 2666MHz/ 1.2V/ CL19/ SODIMM

Forma del producto
P/N: KVR26S19D8/32

SKU: KIN-32GB KVR26S19D8 32

81,76 € 69,50 € IVA incluido

    Especificaciones

    Descripción

    Kingston ValueRAM 32GB 2666MHz DDR4

    Este documento describe el módulo de memoria KVR26S19D8/32 de ValueRAM, un módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (Synchronous DRAM) de 4 GB x 64 bits (32 GB), 2Rx8, sin ECC, basado en dieciséis componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. 

    El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC de DDR4-2666 de 19-19-19 a 1,2 V. Este módulo DIMM de 260 pines utiliza contactos de oro


    Especificaciones

    • VDDQ = 1,2 V típico
    • VPP = 2,5 V típico
    • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
    • Terminación nominal y dinámica en el chip (ODT) para señales de datos, luz estroboscópica y máscara
    • Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
    • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
    • Generación y calibración de VREFDQ en el chip
    • Doble rango
    • EEPROM de detección de presencia serial (SPD) I2 integrada
    • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
    • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
    • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
    • Topología de paso
    • Bus de dirección y comando de control terminado
    • PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
    • Compatible con RoHS y libre de halógenos

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